相关考题
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多项选择题
晶体生长大致可以分为晶核的（）两个阶段。
A.形成
B.孵化
C.生长
D.团聚 -
多项选择题
降温法生长关键控制技术包括（）等。
A.精确控制降温速率
B.合理的供热方式和搅拌程序
C.轻放轻取不引入应力
D.选择合理的生长速率 -
单项选择题
膜层与基片的结合强度相比较：（）。
A.蒸镀〉溅射〉离子镀
B.蒸镀〉溅射〈离子镀
C.蒸镀〈溅射〉离子镀
D.蒸镀〈溅射〈离子镀
