相关考题
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单项选择题
以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通？（）
A.增加栅氧化层厚度
B.增加沟道宽度
C.减小沟道长度
D.增加衬底掺杂浓度 -
单项选择题
以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅？（）
A.降低衬底掺杂浓度
B.增加栅氧化层厚度
C.增加沟道宽度
D.减小沟道长度 -
单项选择题
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流？（）
A.减小栅氧化层厚度
B.减小沟道宽度
C.提高阈值电压
D.增加沟道长度
