欢迎来到计算机考试题库网
计算机题库官网
登录
注册
首页
计算机java工程师信产部认证考试
计算机网络设备调试员
计算机计算机软件水平考试
计算机通信工程师
计算机计算机辅助设计绘图员
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
微电子器件与IC设计基础
搜题找答案
问答题
简答题
画出V
BE
＞0，V
BC
＜0，偏置条件下各区少子分布图及内部各电流分量流向图。
【参考答案】
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
问答题
试论BJT为什么具有对微弱电信号的放大能力？怎样提高BJT的电流放大系数？
问答题
画出NPN双扩散外延平面管的截面结构图，并且标明其相应纵向结构参数的名称。
问答题
把一个PN结硅二极管作变容二极管用，结两侧掺杂浓度分别为NA=1019cm-3、ND=1015cm-3、二极管面积0.01cm2。 （1）求在VR=IV及5V时二极管的电容； （2）计算用此变容二极管及L=2mH的储能电流的共振频率。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
