问答题
计算题
硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为NA=1818cm-3、ND=1015cm-3，N区的寿命tp=10-5s，且Wn＞LP，300K下N型锗中Dp=45cm2/s，N型硅中Dp=13cm2/s，求外加偏压为-5V时，反向饱和电流和势垒区产生电流各位多少？从中可以得到什么结论？
【参考答案】
点击查看答案
相关考题
-
问答题
Si的PN结中ND=1016cm-3、DP=13cm2/s、LP=2×10-3cm、A=105cm2，若规定二极管正向电流达到0.1mA时的电压为阀值电压，问该PN结阀值电压Vi是多少？参数相同的锗PN结Vi是多少？ -
问答题
硅PN结N区电阻率Pn=5Ω·cm、tp=1μs，P区电阻率Pp=0.1Ω·cm、tn=5μs，计算300K时反向饱和电流密度、空穴电流与电子电流之比以及正向0.3V和0.7V时通过PN结的电流密度。 -
问答题
PN结两边杂质浓度和宽度均相等，且两边宽度小于相应的少子扩散长度，试证明正向空穴电流和电子电流之比为Ip/In=Dp/Dn，如果两边宽度均大于相应的扩散长度，结果如何？
