问答题
计算题
一块电阻率为3Ω·cm的N-Si样品，空穴的寿命为τp=5μs，在其平面型的表面处有稳定的空穴注入，过甚空穴浓度为Δp（0）=1014cm-3，计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度。在离表面多远处过剩空穴浓度衰减到1012cm-3。
【参考答案】
点击查看答案
