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多项选择题
测量少数载流子寿命时注入比控制的方法主要有（）方面。
A.控制氙灯的闪光电压
B.加滤光片
C.加热硅单晶
D.加光阑 -
多项选择题
半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（）有直接影响。
A.晶体管的放大倍数
B.开关管的开关时间
C.太阳能电池的光电转换效率
D.太阳能电池的填充因子 -
多项选择题
半导体晶体缺陷主要包括（）
A.微观缺陷
B.宏观缺陷
C.表面机械损伤
D.点阵应变
