单项选择题
单管DRAM位线上的分布电容电荷大，降低了存储高电平的电位，仅达到（），因此需要增加灵敏恢复/放大电路放大电压，达到高电平的值。
A.0.1V
B.0V
C.0.2V
D.1V
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多项选择题
四管动态存储单元电路不需要灵敏恢复/放大电路的原因是（）。
A.输出高电平的电位足够高
B.输出低电平的电位足够高
C.电容可以存储电荷
D.用锁存器的输出存储电平 -
单项选择题
QDR SDRAM为（）。
A.同步动态随机存储器
B.异步静态随机存储器
C.2倍速同步随机存储器
D.4倍速同步动态随机存储器 -
单项选择题
可变模计数器，或者其他多变化控制电路可用（）输入条件改变。
A.编程
B.自动
C.移位寄存器的输出
D.复位
