单项选择题
（）的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压，记为BVCBO。
A.发射极开路时，使I’CEO→∞
B.集电极极开路时，使I’CEO→∞
C.发射极开路时，使I’CBO→∞
D.基极开路时，使I’CBO→∞
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单项选择题
在异质结双极型晶体管中，通常用（）。
A.窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区
B.宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区
C.窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区
D.宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区 -
单项选择题
为了使稳压二极管的击穿电压尽量不受温度的影响，可以通过适当选择PN结的杂质浓度分布，使其击穿电压处于两种击穿机构兼有的范围，原因是雪崩击穿具有（）而齐纳击穿具有与之相反的特性。
A.可逆
B.正温度系数
C.负温度系数
D.不可逆 -
单项选择题
对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（）的非平衡载流子电荷。
A.N型中性区
B.P型势垒区
C.N型势垒区
D.P型中性区
