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多项选择题
影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（）
A.电极电位
B.腐蚀液的成分
C.腐蚀处理的温度和搅拌的影响
D.缓冲剂的影响 -
多项选择题
陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）
A.使整个样品加底光照
B.将硅单晶加热到50～70℃
C.加底光照后用氙灯闪光进行照射
D.将硅单晶加热到60～80℃ -
多项选择题
下列有关漩涡缺陷的说法正确的是（）
A.是晶体中点缺陷的局部聚集
B.漩涡条纹是不连续的
C.由大量的浅蚀坑组成
D.在晶体中实际上是呈螺旋阶梯分布的
