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多项选择题

对微带线特性阻抗和导带基片尺寸互求的图示法,以下叙述正确的是:()

    A.根据微带线导体带宽度和介质基片厚度可以定义填充因子q,q介于0.5-1之间
    B.如果已知W/d和εr,求特性阻抗,则可以在图中采用逼近法
    C.填充因子q主要取决于微带线横截面形状,即W/d值,与εr近似无关,根据q可再写出等效介电常数εre表达式
    D.如果已知介质基片介电常数εr和特性阻抗Z0,求导体带宽度和介质基片厚度之比W/d,则可以在图中采用逼近法

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    对魔T接头,以下叙述正确的是:()

    A.魔T具有均分性,即由端口1输入的功率,同相等分从E、H臂输出,而不进入端口2
    B.对双T接头,通常在保证1、2端口结构对称的前提下,在接头处加入匹配元件来消除反射,即构成魔T
    C.魔T具有均分性,即由H臂输入的功率,同相等分从端口1、2输出,而不进入E臂
    D.魔T是全匹配的、对口相互隔离的、相邻两口有3dB耦合度的理想定向耦合器

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