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多项选择题
MOSFET发生速度饱和之后，以下哪些物理量将与沟道长度不相关？（）
A.饱和漏源电压
B.跨导
C.饱和漏极电流
D.最高工作频率 -
多项选择题
以下哪些措施可以提高MOSFET的跨导？（）
A.减小沟道长度
B.增加衬底掺杂浓度
C.增加栅氧化层厚度
D.增加沟道载流子迁移率 -
多项选择题
在实测的晶体管输出特性曲线中，IC在放大区随VCE的增加而略有增加，这是由（）造成的。
A.基区宽度调变效应
B.有效沟道长度调制效应
C.电导调制效应
D.厄尔利效应
