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判断题
防止基区穿通的措施是提高W
B
与N
B
。
【参考答案】
正确
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判断题
在异质结双极型晶体管中,通常将发射结作成异质结,即用宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区。
判断题
发射结正偏、集电极零偏时的IC与IB之比称为共发射极直流短路电流放大系数。
判断题
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