欢迎来到计算机考试题库网
计算机题库官网
登录
注册
首页
计算机java工程师信产部认证考试
计算机网络设备调试员
计算机计算机软件水平考试
计算机通信工程师
计算机计算机辅助设计绘图员
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
微电子器件与IC设计基础
搜题找答案
判断题
对于P型的MOSFET,其衬底相对于源区应该接低电位。
【参考答案】
错误
(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看答案解析 ↓↓↓)
点击查看答案&解析
上一题
目录
下一题
相关考题
判断题
当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时,称表面发生了强反型。
判断题
一个增强型P沟道MOSFET,其阈值电压应该小于零。
判断题
电流放大系数与频率成反比,频率每提高一倍,电流放大系数下降一半,功率增益降为四分之一。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题