单项选择题
以下不是防止MOSFET被静电击穿的措施的是（）。
A.将电路存放在静电包装袋
B.焊接时电烙铁应断电
C.测试仪器必须良好接地
D.用手直接将MOSFET放到测试台上
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单项选择题
以下不是引起IGBT的发生擎住效应的原因是（）。
A.集电极电流过大
B.电压上升率过大
C.温度升高
D.电源电压过低 -
单项选择题
以下不是IGBT的管脚名称的是（）。
A.集电极
B.发射极
C.栅极
D.门极 -
单项选择题
以下不是IGBT的工作区域的是（）。
A.正向阻断区
B.有源区
C.负阻区
D.饱和区
