单项选择题
某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（）。
A.2A/V2
B.3A/V2
C.4A/V2
D.1A/V2
点击查看答案&解析
相关考题
-
单项选择题
某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
A.40A
B.25A
C.36A
D.12A -
单项选择题
以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响？（）
A.栅氧化层厚度
B.衬底掺杂浓度
C.沟道长度
D.氧化层固定电荷 -
单项选择题
某长方形扩散区的方块电阻为200Ω，长度和宽度分别为100μm和20μm，则其长度方向的电阻为（）。
A.1KW
B.40Ω
C.2KW
D.100W
