多项选择题
短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象？（）
A.跨导与沟道长度L不再有关
B.饱和漏源电压正比于沟道长度L
C.阈值电压随L的缩短而减小
D.饱和漏极电流与沟道长度L无关
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多项选择题
以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流？（）
A.沟道长度增加
B.阈值电压提高
C.栅氧化层厚度减小
D.沟道宽度增加 -
多项选择题
防止基区穿通的措施是提高（）。
A.增大基区宽度
B.增大基区掺杂浓度
C.减小基区掺杂浓度
D.减小基区宽度 -
多项选择题
要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。
A.减小基区掺杂浓度
B.增大基区宽度
C.增大基区掺杂浓度
D.减小基区宽度
