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全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 微电子器件与IC设计基础

多项选择题

‍以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流?()

    A.沟道长度增加
    B.阈值电压提高
    C.栅氧化层厚度减小
    D.沟道宽度增加

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