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多项选择题
MOSFET的饱和区漏极电流ID随VDS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的？（）
A.基区宽度调变效应
B.阈电压的短沟道效应
C.漏区静电场对沟道的反馈
D.有效沟道调制效应 -
多项选择题
影响MOSFET阈值电压的因素有（）。
A.衬底掺杂浓度
B.沟道宽度
C.栅氧化层厚度
D.氧化层固定电荷 -
多项选择题
双极型晶体管的基区输运系数的表达式为（）。
A.A
B.B
C.C
D.D
