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全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 微电子器件与IC设计基础

单项选择题

‎以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应?()

    A.增加源漏结深
    B.减小衬底掺杂浓度
    C.减小氧化层厚度
    D.减小沟道长度

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