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单项选择题
反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（）过程。
A.产生和漂移
B.漂移和扩散
C.扩散和复合
D.产生和扩散 -
单项选择题
PN结中冶金结的含义是（）。
A.势垒层
B.界面
C.空间电荷区
D.耗尽层 -
单项选择题
以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应？（）
A.增加源漏结深
B.减小衬底掺杂浓度
C.减小氧化层厚度
D.减小沟道长度
