相关考题
-
多项选择题
单边突变结的（）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
A.内建电势
B.耗尽区宽度
C.最大电场
D.势垒高度 -
多项选择题
输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成，当载流子的迁移率和扩散系数确定以后，漂移电流取决于（）。
A.载流子浓度
B.电场强度
C.载流子浓度梯度
D.电荷密度 -
多项选择题
短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象？（）
A.跨导与沟道长度L不再有关
B.饱和漏源电压正比于沟道长度L
C.阈值电压随L的缩短而减小
D.饱和漏极电流与沟道长度L无关
