相关考题
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单项选择题
漩涡缺陷是晶体中（）的局部聚集。
A.线缺陷
B.微缺陷
C.面缺陷
D.点缺陷 -
单项选择题
位错密度通常采用（）来表示，可在金相显微镜下测定。
A.线密度
B.体密度
C.面密度
D.以上皆不是 -
单项选择题
三探针法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。
A.整流效应
B.温差电效应
C.以上二种皆可
D.以上二种皆不可
