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全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 微电子器件与IC设计基础

单项选择题

采用耗尽近似,N型耗尽区内的泊松方程与()成正比。

    A.施主杂质浓度
    B.受主杂质浓度
    C.电子浓度
    D.空穴浓度

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