相关考题
-
单项选择题
p型空间电荷区由（）构成。
A.电子
B.空穴
C.带正电的电离施主杂质
D.带负电的电离受主杂质 -
单项选择题
空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（）。
A.电荷密度
B.电流密度
C.正电荷密度
D.负电荷密度 -
单项选择题
某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（）。
A.2A/V2
B.3A/V2
C.4A/V2
D.1A/V2
