相关考题
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多项选择题
当MOSFET的沟道长度、各种横向和纵向尺寸都按照缩小因子K等比例缩小时，以下哪些物理量将缩小K倍？（）
A.漏极电流
B.阈电压
C.单位面积栅电容
D.跨导 -
多项选择题
在推导MOSFET非饱和区直流电流电压方程时，采用了以下哪些近似？（）
A.沟道迁移率恒定近似
B.耗尽近似
C.强反型近似
D.缓变沟道近似 -
多项选择题
MOSFET的饱和区漏极电流ID随VDS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的？（）
A.基区宽度调变效应
B.阈电压的短沟道效应
C.漏区静电场对沟道的反馈
D.有效沟道调制效应
